Name: IPT020N13NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N13NM6ATMA1TR-ND
Price: 28.0071 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT020N13NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT020N13NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT020N13NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT020N13NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT020N13NM6ATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	34 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 135 V 29A (Ta), 297A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,95mOhm przy 142A, 15V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 275µA
Seria OptiMOS™ 6	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 207 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 14000 pF @ 68 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 395W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 135 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 29A (Ta), 297A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8-1
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 8V, 15V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN