Name: IPTC014N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC014N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 27.3798 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 100 V 37A (Ta), 365A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-2

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPTC014N10NM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPTC014N10NM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPTC014N10NM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPTC014N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPTC014N10NM5ATMA1
Opis	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 37A (Ta), 365A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPTC014N10NM5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,4mOhm przy 150A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 280µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 211 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 16000 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 37A (Ta), 365A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-16-2
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia Moduł 16-PowerSOP