Name: IPT009N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 28.9788 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT009N06NM5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT009N06NM5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT009N06NM5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT009N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT009N06NM5ATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 48A (Ta), 427A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT009N06NM5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,3V przy 220µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 257 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 16000 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 48A (Ta), 427A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPT009
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,9mOhm przy 150A, 10V