Name: IPP045N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP045N10N3GXKSA1-ND
Price: 15.7932 PLN
Availability: InStock

IPP045N10N3GXKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPP045N10N3GXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP045N10N3GXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP045N10N3GXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8410 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP045

Cena jednostkowa bez VAT:	12,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	15,79320 zł

IPP045N10N3GXKSA1