Name: IPN80R1K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K4P7ATMA1TR-ND
Price: 6.3099 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPN80R1K4P7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN80R1K4P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN80R1K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN80R1K4P7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN80R1K4P7ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 70µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 250 pF @ 500 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 7W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-SOT223
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPN80R1
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,4Ohm przy 1,4A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 66

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)