Name: IPN80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 6.6174 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPN80R1K2P7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPN80R1K2P7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 4,5A (Tc) 6,8W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-SOT223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPN80R1K2P7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2Ohm przy 1,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 80µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	300 pF @ 500 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6,8W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT223
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	IPN80R1

Cena jednostkowa bez VAT:	5,38000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,61740 zł

IPN80R1K2P7ATMA1