Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPG20N06S415AATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
MFR Recommended
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPG20N06S415AATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPG20N06S415AATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPG20N06S415AATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPG20N06S415AATMA1 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 20A 50W Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PG-TDSON-8-10 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | |
Status części | Nieaktualne | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 20A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 15,5mOhm przy 17A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 20µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 29nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2260pF przy 25V | |
Moc - maks. | 50W | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy, bok zwilżany | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerVDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TDSON-8-10 | |
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 4 205 wyświetl teraz
Other Suppliers on DigiKey
4 205W magazynie
Wysyłający: Rochester Electronics, LLC
Polska