Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 8.6838 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPG20N06S2L35ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPG20N06S2L35ATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 55V 20A 65W Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPG20N06S2L35ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	35mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 27µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	790pF przy 25V
Moc - maks.	65W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-4
Bazowy numer produktu	IPG20N