Name: IPG20N04S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND
Price: 8.1672 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPG20N04S4L11ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPG20N04S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPG20N04S4L11ATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 20A 41W Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPG20N04S4L11ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 15µA
Producent Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26nC przy 10V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1990pF przy 25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 41W
Status części Nie do nowych projektów	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Kwalifikacja AEC-Q101
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-4
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,6mOhm przy 17A, 10V	Bazowy numer produktu IPG20N