Name: IPG16N10S4L61AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG16N10S4L61AATMA1TR-ND
Price: 8.3271 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPG16N10S4L61AATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPG16N10S4L61AATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPG16N10S4L61AATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPG16N10S4L61AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPG16N10S4L61AATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 16A 29W Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PG-TDSON-8-10
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPG16N10S4L61AATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	61mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	845pF przy 25V
Moc - maks.	29W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-10
Bazowy numer produktu	IPG16N10