IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies | Układy tranzystorów FET, MOSFET

IPG16N10S461ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPG16N10S461ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPG16N10S461ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPG16N10S461ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPG16N10S461ATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 16A 29W Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPG16N10S461ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	61mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 9µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	490pF przy 25V
Moc - maks.	29W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-4
Bazowy numer produktu	IPG16N10

Cena jednostkowa bez VAT:	6,64000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,16720 zł

IPG16N10S461ATMA1