Name: IPD78CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD78CN10NGATMA1TR-ND
Price: 5.2644 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPD78CN10NGATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD78CN10NGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD78CN10NGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD78CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD78CN10NGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD78CN10NGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	78mOhm przy 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 12µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	716 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	31W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD78CN10

Cena jednostkowa bez VAT:	4,28000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,26440 zł

IPD78CN10NGATMA1