Name: IPD70R1K4P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70R1K4P7SAUMA1TR-ND
Price: 4.1451 PLN
Availability: InStock

IPD70R1K4P7SAUMA1
Numer produktu DigiKey	IPD70R1K4P7SAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD70R1K4P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD70R1K4P7SAUMA1
Opis	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD70R1K4P7SAUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 700mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 40µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	158 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	23W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD70

Cena jednostkowa bez VAT:	3,37000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,14510 zł

IPD70R1K4P7SAUMA1