


IPD80R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPD80R1K0CEATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPD80R1K0CEATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 950mOhm przy 3,6A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,9V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 785 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 83W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO252-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,14000 zł | 8,14 zł |
| 10 | 5,18700 zł | 51,87 zł |
| 100 | 3,50630 zł | 350,63 zł |
| 500 | 2,78548 zł | 1 392,74 zł |
| 1 000 | 2,55365 zł | 2 553,65 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 2,03068 zł | 5 076,70 zł |
| 5 000 | 1,94563 zł | 9 728,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,14000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,01220 zł |








