Name: IPD65R420CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND
Price: 12.0171 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD65R420CFDAATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD65R420CFDAATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD65R420CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD65R420CFDAATMA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 8,7A (Tc) 1,3A (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD65R420CFDAATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	420mOhm przy 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 345µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	870 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,3A (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD65R420