Name: IPD65R225C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R225C7ATMA1TR-ND
Price: 13.1733 PLN
Availability: InStock

IPD65R225C7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD65R225C7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD65R225C7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD65R225C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD65R225C7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD65R225C7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ C7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	225mOhm przy 4,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 240µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	996 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	63W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD65R225

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	3,25321 zł	8 133,03 zł
5 000	3,23942 zł	16 197,10 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	10,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,17330 zł

IPD65R225C7ATMA1