Name: IPD60R800CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R800CEAUMA1TR-ND
Price: 5.1906 PLN
Availability: OutOfStock

IPD60R800CEAUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD60R800CEAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD60R800CEAUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD60R800CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD60R800CEAUMA1
Opis	CONSUMER
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 8,4A (Tc) 74W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-344
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD60R800CEAUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CE
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	800mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 170µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	373 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	74W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-344
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD60R

Cena jednostkowa bez VAT:	4,22000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,19060 zł

IPD60R800CEAUMA1