Name: IPD530N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD530N15N3GATMA1TR-ND
Price: 9.1389 PLN
Availability: InStock

IPD530N15N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD530N15N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD530N15N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD530N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD530N15N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	48 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD530N15N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	53mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	887 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	68W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD530

Cena jednostkowa bez VAT:	7,43000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,13890 zł

IPD530N15N3GATMA1