IPD50R500CEBTMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD50R500CEBTMA1
Numer produktu DigiKey	IPD50R500CEBTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50R500CEBTMA1
Opis	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 7,6A (Tc) 57W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CE
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	13V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	500mOhm przy 2,3A, 13V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	433 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	57W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50R

IPD50R500CEBTMA1