IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD50R399CPBTMA1
Numer produktu DigiKey	IPD50R399CPBTMA1-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50R399CPBTMA1
Opis	LOW POWER_LEGACY
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-313
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CP
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	399mOhm przy 4,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 330µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	890 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-313
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50R

IPD50R399CPBTMA1