Name: IPD50N06S4L08ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N06S4L08ATMA2TR-ND
Price: 7.6137 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD50N06S4L08ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPD50N06S4L08ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD50N06S4L08ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD50N06S4L08ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50N06S4L08ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD50N06S4L08ATMA2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,8mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4780 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	71W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50