IPD50N03S2L06ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD50N03S2L06ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD50N03S2L06ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD50N03S2L06ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50N03S2L06ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD50N03S2L06ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,4mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 85µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1900 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	2,56672 zł	6 416,80 zł
5 000	2,55366 zł	12 768,30 zł

IPD50N03S2L06ATMA1

Cena jednostkowa bez VAT:	8,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,73790 zł