Name: IPD42DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD42DP15LMATMA1TR-ND
Price: 9.8031 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD42DP15LMATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD42DP15LMATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD42DP15LMATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD42DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD42DP15LMATMA1
Opis	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 150 V 1,7A (Ta), 9A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD42DP15LMATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 1,04mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 43 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2100 pF @ 75 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,7A (Ta), 9A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu IPD42D
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 420mOhm przy 8,2A, 10V