IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD40N03S4L08ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD40N03S4L08ATMA1-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD40N03S4L08ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,3mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 13µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1520 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD40N03

IPD40N03S4L08ATMA1