Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 10.7748 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD35N12S3L24ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD35N12S3L24ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 120 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 39 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2700 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 71W (Tc)
Status części Nie do nowych projektów	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 120 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 35A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 35A, 10V	Bazowy numer produktu IPD35N12
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 39µA