Name: IPD30N06S2L23ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND
Price: 10.0737 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD30N06S2L23ATMA3
Numer produktu DigiKey	IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD30N06S2L23ATMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD30N06S2L23ATMA3
Opis	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD30N06S2L23ATMA3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1091 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 55 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3-11
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 23mOhm przy 22A, 10V	Bazowy numer produktu IPD30N06
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 50µA