Name: IPD30N06S2L23ATMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND
Price: 8.241 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD30N06S2L23ATMA3
Numer produktu DigiKey	IPD30N06S2L23ATMA3TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD30N06S2L23ATMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD30N06S2L23ATMA3
Opis	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD30N06S2L23ATMA3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	23mOhm przy 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1091 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD30N06