Name: IPD14N06S280ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD14N06S280ATMA2TR-ND
Price: 5.3997 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD14N06S280ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPD14N06S280ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD14N06S280ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD14N06S280ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD14N06S280ATMA2
Opis	MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 17A (Tc) 47W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD14N06S280ATMA2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	80mOhm przy 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 14µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	293 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	47W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD14N06