Name: IPD122N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD122N10N3GATMA1TR-ND
Price: 9.9876 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD122N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD122N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD122N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD122N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD122N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD122N10N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 46µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2500 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 94W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 59A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu IPD122
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12,2mOhm przy 46A, 10V