IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD038N06N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD038N06N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD038N06N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD038N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD038N06N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD038N06N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	90A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,8mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8000 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD038

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	2,50712 zł	6 267,80 zł
5 000	2,39913 zł	11 995,65 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	8,62000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,60260 zł

IPD038N06N3GATMA1