Name: IPD034N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD034N06N3GATMA1TR-ND
Price: 10.5534 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD034N06N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD034N06N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD034N06N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD034N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD034N06N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD034N06N3GATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 93µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 130 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11000 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 167W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPD034
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,4mOhm przy 100A, 10V