Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IPB80N03S4L03ATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IPB80N03S4L03ATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPB80N03S4L03ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPB80N03S4L03ATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPB80N03S4L03ATMA1 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,3mOhm przy 80A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,2V przy 45µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 75 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±16V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 5100 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 94W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO263-3-2 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Zapasy z platformy handlowej: 19 412 wyświetl teraz
Other Suppliers on DigiKey
19 412W magazynie
Wysyłający: Rochester Electronics, LLC
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
2 Pozycje
Polska