Name: IPB60R060P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R060P7ATMA1TR-ND
Price: 27.2937 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB60R060P7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R060P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB60R060P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB60R060P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R060P7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R060P7ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 800µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 67 nC @ 10 V
Seria CoolMOS™ P7	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2895 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 164W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 48A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPB60R060
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 60mOhm przy 15,9A, 10V