Name: IPB039N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB039N10N3GATMA1TR-ND
Price: 17.6382 PLN
Availability: InStock

IPB039N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB039N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB039N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB039N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB039N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB039N10N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	160A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,9mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 160µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8410 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB039

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	5,02857 zł	5 028,57 zł
2 000	4,82349 zł	9 646,98 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	14,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,63820 zł

IPB039N10N3GATMA1