Name: IPB024N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND
Price: 20.7993 PLN
Availability: InStock

IPB024N10N5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB024N10N5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB024N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB024N10N5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB024N10N5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,4mOhm przy 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 183µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10200 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	250W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	IPB024

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	6,09233 zł	6 092,33 zł
2 000	6,01847 zł	12 036,94 zł

IPB024N10N5ATMA1

Cena jednostkowa bez VAT:	16,91000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	20,79930 zł