Name: PSMN3R8-100BS,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-7109-2-ND
Price: 24.4401 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PSMN3R8-100BS,118
Numer produktu DigiKey	1727-7109-2-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-7109-1-ND - Taśma cięta (CT) 1727-7109-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	PSMN3R8-100BS,118
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 120A (Tc) 306W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Nexperia USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,9mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9900 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	306W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	PSMN3R8