Name: IPB029N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 33.5421 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPB029N15NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPB029N15NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB029N15NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB029N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB029N15NM6ATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 24A (Ta), 165A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB029N15NM6ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Ta), 165A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,8mOhm przy 100A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 276µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	137 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9900 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

Cena jednostkowa bez VAT:	27,27000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	33,54210 zł

IPB029N15NM6ATMA1