
IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R015M2HXKSA1 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 13mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 79 nC @ 18 V |
Seria | Vgs (maks.) +23V, -7V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2792 pF @ 400 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 341W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-40 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13,2mOhm przy 64,2A, 20V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 75,44000 zł | 75,44 zł |
| 30 | 46,69133 zł | 1 400,74 zł |
| 120 | 40,39442 zł | 4 847,33 zł |
| 510 | 35,78669 zł | 18 251,21 zł |
| 1 020 | 34,10728 zł | 34 789,43 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 75,44000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 92,79120 zł |


