Kanał N 650 V 81A (Tc) 365W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMT65R026M2HXUMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-IMT65R026M2HXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-IMT65R026M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IMT65R026M2HXUMA1
Opis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 81A (Tc) 365W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
81A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
24mOhm przy 34,5A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1499 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
365W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia
8-PowerSFN
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 345
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
141,34000 zł41,34 zł
1028,65000 zł286,50 zł
10024,17260 zł2 417,26 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 00019,74883 zł39 497,66 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:41,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:50,84820 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
4 Pozycje
IMT65R020M2HXUMA1

IMT65R020M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

46,41000 zł
IMT65R033M2HXUMA1

IMT65R033M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

35,91000 zł
IMT65R040M2HXUMA1

IMT65R040M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

31,14000 zł
IMLT65R026M2HXTMA1

IMLT65R026M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

40,46000 zł