Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 105.4725 PLN
Availability: InStock

MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-221

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Opis	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-221
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 26mOhm przy 27A, 18V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,1V przy 8,6mA
Seria CoolSiC™ G2	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 54nC przy 0V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1990pF przy 800V
Status części Aktywny	Moc - maks. 410W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200V (1,2kV)	Obudowa / skrzynia 24-BSOP (szerokość 0,606", 15,40mm), 16 odprowadzeń, podkładka odsłonięta
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 83A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-16-221