Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 98.7198 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Opis	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-221
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™ G2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	83A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	26mOhm przy 27A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 8,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	54nC przy 0V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1990pF przy 800V
Moc - maks.	410W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	24-BSOP (szerokość 0,606", 15,40mm), 16 odprowadzeń, podkładka odsłonięta
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-16-221