Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 114.1317 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG65R010M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG65R010M2HXTMA1
Opis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,1mOhm przy 92,1A, 20V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 18,7mA
Seria CoolSiC™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 112 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4001 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 535W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 158A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-12
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA