Name: IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND
Price: 23.7636 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG120R181M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG120R181M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG120R181M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG120R181M2HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 14,9A (Tc) 94W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™ G2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14,9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	181,4mOhm przy 3,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9.7 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	350 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	94W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	IMBG120R181