Name: IMBG120R090M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R090M1HXTMA1TR-ND
Price: 36.8262 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG120R090M1HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG120R090M1HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG120R090M1HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG120R090M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG120R090M1HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 26A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 26A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBG120R090M1HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	26A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 8,5A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5.7V przy 3.7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	763 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	IMBG120