Name: NTBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG070N120M3STR-ND
Price: 36.5064 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBG070N120M3S
Numer produktu DigiKey	5556-NTBG070N120M3STR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTBG070N120M3SCT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTBG070N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBG070N120M3S
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 36A (Tc) 172W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	36A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	87mOhm przy 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,4V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1230 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	172W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA