Name: IMBF170R450M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND
Price: 32.0661 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBF170R450M1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBF170R450M1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBF170R450M1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBF170R450M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBF170R450M1XTMA1
Opis	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	45 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 9,8A (Tc) 107W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-13
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBF170R450M1XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5.7V przy 2.5mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11 nC @ 12 V
Seria CoolSiC™	Vgs (maks.) +20V, -10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 610 pF @ 1000 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 107W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1700 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-13
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,8A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 12V, 15V	Bazowy numer produktu IMBF170
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 450mOhm przy 2A, 15V