IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IGO60R070D1AUMA2
Numer produktu DigiKey	448-IGO60R070D1AUMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGO60R070D1AUMA2CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGO60R070D1AUMA2
Opis	GAN HV
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-DSO-20-85
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGO60R070D1AUMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 2,6mA
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	380 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-20-85
Obudowa / skrzynia	20-PowerSOIC (szerokość 0,433", 11,00mm)
Bazowy numer produktu	IGO60

IGO60R070D1AUMA2