Name: IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R055D2AUMA1TR-ND
Price: 32.5458 PLN
Availability: InStock

IGOT65R055D2AUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGOT65R055D2AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGOT65R055D2AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGOT65R055D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGOT65R055D2AUMA1
Opis	GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 28A (Tc) 89W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-DSO-20-91
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGOT65R055D2AUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™ G5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	66mOhm przy 7,9A
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 2,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	340 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	89W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-20-91
Obudowa / skrzynia	20-BFSOP (szerokość 0,295", 7,50mm)

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
800	10,43330 zł	8 346,64 zł
1 600	10,09194 zł	16 147,10 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	26,46000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	32,54580 zł

IGOT65R055D2AUMA1