Name: IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R110D2AUMA1TR-ND
Price: 20.172 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGLD65R110D2AUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLD65R110D2AUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLD65R110D2AUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLD65R110D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLD65R110D2AUMA1
Opis	HV GAN DISCRETES
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 14A (Tc) 51W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-LSON-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGLD65R110D2AUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™ G5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 1,3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.4 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	170 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	51W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-LSON-8-2
Obudowa / skrzynia	8-LDFN podkładka odsłonięta