Name: IGLR65R140D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R140D2XUMA1TR-ND
Price: 17.22 PLN
Availability: InStock

IGLR65R140D2XUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLR65R140D2XUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLR65R140D2XUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLR65R140D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLR65R140D2XUMA1
Opis	GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 13A (Tc) 47W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGLR65R140D2XUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™ G5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	170mOhm przy 3,1A
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.8 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	155 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	47W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	14,00000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,22000 zł

IGLR65R140D2XUMA1