IGLR60R190D1XUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IGLR60R190D1XUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLR60R190D1XUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLR60R190D1XUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLR60R190D1XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLR60R190D1XUMA1
Opis	GAN HV
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 12,8A (Tc) 55,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGLR60R190D1XUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 960µA
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	157 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	55,5W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-6
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

IGLR60R190D1XUMA1