Name: IAUTN15S6N025TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025TATMA1TR-ND
Price: 39.3477 PLN
Availability: InStock

IAUTN15S6N025TATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUTN15S6N025TATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUTN15S6N025TATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUTN15S6N025TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUTN15S6N025TATMA1
Opis	MOSFET_(120V 300V)
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-16-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUTN15S6N025TATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	245A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 270µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9900 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	357W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-16-2
Obudowa / skrzynia	Moduł 16-PowerSOP

Cena jednostkowa bez VAT:	31,99000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	39,34770 zł

IAUTN15S6N025TATMA1